東芝、メモリー最先端工場稼動――微細化の壁、越えられるか

　東芝は１２日、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを生産する四日市工場（三重県四日市市）で第５棟目となる新たな製造棟を稼働させた。東芝が得意とする微細化技術の粋を集めた世界最先端の工場。ただ、現行メモリーの技術革新は２０１３年ごろに物理的限界に達する。フラッシュに置き換わる次世代メモリーで、確実な成長軌道を描けるのか。
　「最新技術を導入してし烈な競争に打ち勝つ。（四日市工場を）世界最強のメモリー製造拠点にする」。東芝の佐々木則夫社長は１２日、完成記念式典のあいさつで自らを鼓舞するように宣言した。
　新製造棟では、まず線幅２４ナノ（ナノは１０億分の１）メートルで量産をスタート。７月中には１９ナノメートルの量産にも挑む。１０ナノメートル台のフラッシュメモリー量産はまだ世界で東芝にしかできない。メモリー世界首位、韓国サムスン電子も技術開発の途上にある。
　半導体回路の線幅を細く加工する微細化技術で先行すれば、半導体１個当たりの面積を小さくできる。同じ素材から生産できる半導体個数が３～４割増え、製造コストが劇的に下がる。
　あらゆる領域でサムスンの後じんを拝している日本のエレクトロニクス産業のなかで、メモリーは技術革新で大きくリードしている唯一の分野と言っても過言ではない。もっと注目を浴びてもいいはずだが、記者会見の“主役”は最先端技術が集まった新製造棟ではなかった。
関心は更地に
　出席者の関心は新製造棟に隣接する手つかずの更地に向いていた。実は、第５製造棟は２期に分けて工場を２つ建設する計画で、今回稼働したのは１期目だ。２期目では、現行のＮＡＮＤ型フラッシュか、置き換わる次世代メモリーの「ポストＮＡＮＤ」の生産が検討されている。そのため「２期目がいつ稼働するか」が注目を集めているのだ。
　東芝の公式見解は、「１３年度の建設開始を想定しているが、市況を見極めながら検討するので何も決まっていない」。
　なんとも煮え切らないが、次世代品の量産時期は戦略上最も重要な情報。ポストＮＡＮＤ量産時期を問われ、佐々木社長も「言いたいことはあるが、それは言ってはいけないと言われている」とけむに巻いた。
　ＮＡＮＤ型フラッシュ、ＤＲＡＭが代表するメモリーは１年に１世代ずつ、技術革新が進む。処理高速化、大容量化の原動力になる。だが、これまでのペースだと、あと２～３年で物理的限界にぶつかる。ＮＡＮＤ型フラッシュは、線幅が１５ナノメートルより細くなると記憶部分がもろくなる。誤作動を起こしやすくなり、データ保存が困難になる。ＤＲＡＭは２０ナノメートルが限界点とされ、いずれも到達時期は１３年ごろとみられる。
　さらにこの時期に、インターネット環境の進化やクラウドコンピューティングの浸透によるデータセンターの増設で扱う情報の量が急激に膨れ上がる“ビッグデータ”時代を迎える。技術革新による大容量化が止まってしまうと、ビッグデータ時代を支えるメモリーとしては不適格の烙印（らくいん）を押されてしまう。
サムスンと競争
　「複数ある候補から量産準備をするメモリーが決まった」。６月、サムスンが次世代メモリーを急ピッチで開発しているとの噂が流れた。ＤＲＡＭやＮＡＮＤなど電荷蓄積してデータを記憶する現行メモリーとは異なり、「物質の状態が変わるのを利用するメモリー」（関係者）という。収益性の低下を嫌って現行メモリーの増産投資は控えているが、次世代への研究開発はむしろ増やし、「東芝との技術格差をまた逆転する」（サムスン幹部）との意気込みだ。
　東芝も微細化技術のリードを次世代領域でも保つ構えだ。佐々木社長は「微細化はいずれリミットが来る。２期目は最初からポストＮＡＮＤで始めたいという気持ちでいる」とする。これまでの平面構造のフラッシュから、縦に回路を積み上げた３次元構造に切り替え、超大容量化品を検討しているようだ。実現すれば、１チップ当たり数倍の大容量化が期待できる。
　東芝は、２０年までのＮＡＮＤ型フラッシュの市場規模予測を出した。１０年からの１０年間、年平均成長率が７０％とする驚異的な数字だ。成毛康雄執行役常務は「２０年にはすべて次世代メモリーに置き換わっているだろう」と予測する。
　これまでのペースとは異なる性能向上、大容量化を求められる次世代メモリー。開発競争に勝ち抜き、クラウド化で爆発する次世代のメモリー市場で“世界最強”の座を奪取できるか。東芝のメモリー事業は大きな節目を迎えている。